■電験３種試験まで【80日】■

引き続き、理論科目をお勉強。

電子理論の辺りです。

真空中で電界中の電子にかかる力。

磁界中の電子にかかる力。

移動している電子が磁束密度の向きに垂直方向成分がある場合、影響を与え、円運動をする。

固体中の電子にかかる力。

対象は金属体。半導体。絶縁体。

以上は、出題される可能性も少ない課題です。

そして、半導体に移り、p形半導体、n形半導体。

4価のSi（シリコン）、Ge（ゲルマニウム）。

それらに、不純物の3価を混ぜたら、正孔（アクセプタ）が多い…p形半導体

不純物の5価を混ぜたら、自由電子（ドナー）が多い…n形半導体

ｎｐ形半導体を接合させたダイオード。

順方向では、空乏層感覚が縮小し、抵抗値が減少し、ダイオードに電流が流れる。

逆方向では、空乏層感覚が拡大し、抵抗値が増加し、ダイオードに電流がほとんど流れない。

この辺は、基本。

でも、文章問題で出題されるかも？

明日から、トランジスタやオペアンプの計算問題で利得や電流増幅率など、こなします。